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- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
- 技術參數：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
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NTMD6601NR2G 技術參數詳情：
- 制造商產品型號：NTMD6601NR2G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 80V 1.1A 8SOIC
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產品系列：-
- 零件狀態：停產
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：80V
- 25°C時電流-連續漏極(Id)：1.1A
- 不同Id、Vgs時導通電阻（最大值）：215 毫歐 @ 2.2A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：3V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：15nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：400pF @ 25V
- 功率-最大值：600mW
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.154，3.90mm 寬）
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