產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-PowerTDFN
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN
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NTMFD4C86NT3G 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NTMFD4C86NT3G
- 制造商：ON安森美半導(dǎo)體（ONSEMI）
- 描述：MOSFET 2N-CH 30V 11.3/18.1A 8DFN
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N 溝道（雙）非對稱型
- FET功能：標準
- 漏源電壓（Vdss）：30V
- 25°C時電流-連續(xù)漏極(Id)：11.3A，18.1A
- 不同Id、Vgs時導(dǎo)通電阻（最大值）：5.4 毫歐 @ 30A，10V
- 不同Id時Vgs(th)（最大值）：2.2V @ 250μA
- 不同Vgs時柵極電荷?(Qg)（最大值）：22.2nC @ 10V
- 不同Vds時輸入電容(Ciss)（最大值）：1153pF @ 15V
- 功率-最大值：1.1W
- 工作溫度：-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-PowerTDFN
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