產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：安森美
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：模塊
- 技術參數(shù)：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
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NXH350N100H4Q2F2P1G 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：NXH350N100H4Q2F2P1G
- 制造商：ON安森美半導體（ONSEMI）
- 描述：IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：有源
- IGBT類型：溝槽型場截止
- 配置：三級反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1000V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：303A
- 功率-最大值：276W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.3V @ 15V，375A
- 電流-集電極截止（最大值）：1mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：24.146nF @ 20V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 150°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：模塊
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