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熱門產(chǎn)品型號
產(chǎn)品參考圖片
SGW5N60RUFDTM 圖片
  • 制造廠商:安森美
  • 類別封裝:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單,封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • 技術(shù)參數(shù):IGBT 600V 8A 60W D2PAK
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SGW5N60RUFDTM 技術(shù)參數(shù)詳情:
  • 制造商產(chǎn)品型號:SGW5N60RUFDTM
  • 制造商:ON安森美半導(dǎo)體(ONSEMI)
  • 描述:IGBT 600V 8A 60W D2PAK
  • 系列:晶體管 - UGBT、MOSFET - 單
  • 產(chǎn)品系列:-
  • 零件狀態(tài):停產(chǎn)
  • IGBT類型:-
  • 電壓-集射極擊穿(最大值):600V
  • 電流-集電極(Ic)(最大值):8A
  • 電流-集電極脈沖(Icm):15A
  • 不同?Vge、Ic時?Vce(on)(最大值):2.8V @ 15V,5A
  • 功率-最大值:60W
  • 開關(guān)能量:88μJ(開),107μJ(關(guān))
  • 輸入類型:標準
  • 柵極電荷:16nC
  • 25°C時Td(開/關(guān))值:13ns/34ns
  • 測試條件:300V,5A,40 歐姆,15V
  • 反向恢復(fù)時間(trr):55ns
  • 工作溫度:-
  • 安裝類型:表面貼裝型
  • 封裝:TO-263-3,D2Pak(2 引線 + 接片),TO-263AB
  • SGW5N60RUFDTM優(yōu)勢代理貨源,國內(nèi)領(lǐng)先的安森美芯片采購服務(wù)平臺。
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