產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：IXYS
- 類別封裝：晶體管 - IGBT - 模塊，封裝：E1
- 技術參數(shù)：IGBT MODULE 1200V 29A 130W E1
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MWI30-12E6K 技術參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：MWI30-12E6K
- 制造商：IXYS（已被Littelfuse力特半導體收購）
- 描述：IGBT MODULE 1200V 29A 130W E1
- 系列：晶體管 - IGBT - 模塊
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- IGBT類型：-
- 配置：三相反相器
- 電壓-集射極擊穿（最大值）：1200V
- 電流-集電極(Ic)（最大值）：29A
- 功率-最大值：130W
- 不同?Vge、Ic時?Vce(on)（最大值）：2.9V @ 15V，20A
- 電流-集電極截止（最大值）：1mA
- 不同?Vce時輸入電容(Cies)：1.18nF @ 25V
- 輸入：標準
- NTC熱敏電阻：是
- 工作溫度：-40°C ~ 125°C（TJ）
- 安裝類型：底座安裝
- 封裝：E1
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