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應用材料公司宣布推出新系統，可以改進晶體管布線的沉積過程，從而大大降低電阻，突破芯片在性能提升和功率降低方面的主要瓶頸。

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芯片制造商正在利用光刻領域的先進技術將芯片工藝縮小到3納米及以下節點。然而，隨著互連線變薄，電阻呈指數級上升，這不僅降低了芯片的性能，而且增加了功耗。如果不能解決這個問題，更先進的晶體管的好處將被指數級上升的布線電阻完全抵消。

芯片布線SiliconImage代理一般是指在介電材料上刻蝕沉積金屬的溝槽和通孔的過程。在傳統工藝中，用于布線沉積的金屬層通常由以下部分組成：阻擋層用于防止金屬和介電材料的擴散；墊層用于增強附著力；種子層用于促進金屬填充；導電金屬，如鎢或鈷用于晶體管接觸，銅用于連接。由于阻擋層和襯墊層難以微縮，當槽和通孔尺寸減小時，導電材料的空間比例降低——連接越小，電阻越高。

Endura Ioniq PVD該系統是應用材料公司解決二維微縮布線電阻問題的最新突破。Ioniq該系統是一種集成材料解決方案（IMS），表面可以制備，PVD和CVD同時，該過程集中在同一個高真空系統中

應用材料公司EnduraIoniq PVD系統

Ioniq PVD system是一種集成材料解決方案（IMS），表面可以制備，PVD和CVD該過程同時集中在同一個高真空系統中。Ioniq PVD為芯片制造商提供低阻值純鎢PVD膜取代高阻值氮化鈦襯墊層和阻擋層，配合后續純鎢CVD薄膜制成純鎢金屬觸點。該方案解決了電阻問題，使二維微縮繼續作用于3納米及以下節點。

半導體產品事業部高級副總裁兼總經理珀拉布?拉賈博士說：應用材料公司在解決電阻問題方面取得的最新突破，是材料工程創新延續二維微縮的絕佳例子。創新的Ioniq PVD該系統打破了晶體管性能提升的主要瓶頸，使其在運行速度更快的同時減少了功率損失。隨著芯片復雜性的提高，在高真空中集成多個過程的能力對客戶提高布線以實現其性能和功率至關重要�！�

Endura Ioniq PVD該系統已被世界上許多行業的領先客戶使用。如果您需要了解更多關于該系統的信息或其他用于解決關鍵布線和連接問題的應用材料公司的解決方案，請關注美國時間5月26日舉行的芯片布線和集成新方法大師課程。