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泛林集團、Entegris 和 Gelest 攜手推進 EUV 生態系統干膜光刻膠技術

（2025年5月10日更新）

泛林集團 (NASDAQ: LRCX)、Entegris, Inc. 三菱化學集團旗下公司 Gelest, Inc, 最近宣布戰略合作，為下一代半導體生產所需的泛林突破性極紫外線提供可靠的前體化學品 (EUV)干膜光刻膠創新技術。三方將與未來幾代邏輯合作 DRAM 用于設備生產 EUV 研發干膜光刻膠技術將有助于實現從機器學習和人工智能到移動設備的所有這些技術。

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工藝化學品供應鏈強大 EUV 干膜光刻膠技術在大規模生產中的應用至關重要。這種新的長期合作將進一步擴大干膜光刻膠技術不斷發展的生態系統，由半導體材料領導者提供雙源供應，以確保世界各市場的可持續供應。

此外，泛林，Entegris 和 Gelest 加快未來高數值孔徑(高數值孔徑)的發展 NA）EUV 高性價比的圖形化 EUV 干膜光刻膠解決方案。高 NA EUV 它被廣泛認為是未來幾十年半導體器件持續微縮和開發所需的圖形化技術。干膜光刻膠可實現高耐蝕性、沉積和顯影所需的可調厚度比，支持高耐蝕性 NA EUV 降低焦深要求。

泛林集團執行副總裁兼首席技術官 Rick Gottscho 表示：干膜光刻膠技術的結合 EUV 為將來 DRAM 邏輯的發展掃清了最大的障礙。本次合作將泛林在干膜光刻膠技術領域的專業知識、尖端解決方案和材料科學能力與兩位前體化學行業領導者帶來的可靠供應渠道相結合。該干膜光刻膠生態系統的重要擴展為該技術的創新和量產鋪平了道路。”

干膜光刻膠最初是泛林和 ASML 和 IMEC合作開發，改進 EUV 從而解決了光刻的分辨率、生產率和良率 DRAM 與邏輯技術相關的關鍵挑戰。該技術提供了優異的劑量-尺寸比和劑量-缺陷率性能，從而提高了 EUV 掃描儀的NXP代理生產率和持有成本降低。此外，與傳統的防腐劑工藝相比，泛林干膜光刻膠工藝消耗的能源較少，原材料消耗量比以前少5-10倍，為可持續發展提供了關鍵優勢。

Entegris首席執行官 Bertrand Loy 泛林干膜光刻膠技術反映了材料層面的關鍵創新，并提供了更好的分辨率、更高的成本效益和有吸引力的可持續發展效益等諸多優勢。我們很自豪能夠參與這項創新合作，加快干膜光刻膠技術的應用，成為客戶可靠的工藝材料供應商，利用這項重要技術創造下一代半導體。”

三菱化學集團旗下 Gelest 總裁 Jonathan Goff 說：我們和泛林和 Entegris 合作開發 EUV 光刻所用的干膜光刻膠表明我們致力于支持芯片制造商在材料科學領域的創新。這幾年我們已經看到了 EUV 為了擴大其潛力，我們很高興成為不斷發展的生態系統的一部分。”