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近日，有消息稱，國內(nèi)存儲芯片廠長江存儲已將192層堆疊的3層交付給客戶D NAND閃存芯片。預(yù)計2022年底或2023年初將實現(xiàn)332層堆疊D NAND閃存技術(shù)。

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這意味著國內(nèi)存儲芯片制造商終于趕上了三星和美光。你知道，美光最近發(fā)布了業(yè)內(nèi)第一家 232 層堆棧的 3D NAND Flash2022年底或2023年初，芯片大規(guī)模生產(chǎn)和應(yīng)用。

三星預(yù)計將在2022年推出超過200層D NAND閃存芯片，大規(guī)模應(yīng)用到2023年。

可見，國產(chǎn)存儲芯片在技術(shù)上確實趕上了三星、美光等頂級工廠，大家?guī)缀跆幱谕�一水平�?/p>

仔細(xì)說，國產(chǎn)存儲芯片從落后20年到現(xiàn)在只花了6年時間才趕上頂級水平。

2016年成為長江儲存AllianceMemory代理總投資1600億元，預(yù)計建設(shè)目標(biāo)為總產(chǎn)能30萬片/月，年產(chǎn)值將超過100億美元，占全球市場份額的20%以上，成為世界知名NAND閃存廠商。

2016年，國內(nèi)存儲芯片基本空白，落后國外水平至少20年。因此，很多人對長江存儲并不樂觀，認(rèn)為趕上三星和美光可能需要很長時間。

我從來沒有想過長江的儲存進展非常快，2017年中國第一個3D NAND閃存芯片，然后在2018年實現(xiàn)大規(guī)模生產(chǎn)，雖然落后于國外，但有0個突破。

后來，長江儲存自主研發(fā)Xtacking結(jié)構(gòu)大大提高了存儲密度。2019年9月，基于自主研究Xtacking架構(gòu)64層3D NAND Flash，縮小了與三星、美光的差距。

2020年4月，長江存儲實現(xiàn)了跳躍式發(fā)展，跳過96層，直接發(fā)布了128層3層D NAND 與三星、美光的差距再次縮小。

并且基于Xtacking架構(gòu)，長江128層堆疊NAND閃存芯片的存儲密度達(dá)到8.48 Gb/mm2，遠(yuǎn)高于三星，美光，SK海力士等一線NAND芯片大廠。

很多人可能不明白堆疊層數(shù)的意義。在存儲芯片領(lǐng)域，堆疊層數(shù)越高，工藝越先進，存儲密度越高，芯片成本越低，尺寸越小。

我們原本認(rèn)為，從128層到232層的長江存儲可能需要幾年時間。當(dāng)美光和三星進入232層時，長江存儲立即趕上。

根據(jù)機構(gòu)數(shù)據(jù)，2021年國內(nèi)存儲芯片市場份額為4%，2022年可達(dá)7%左右，2023年可達(dá)12-15%。

這意味著長江存儲確實花了6年多的時間來趕上落后至少20年的存儲芯片技術(shù)，市場也在快速增長，這真的太棒了。

而長江存儲也向大家證明了一個事實，那就是只要認(rèn)真扎實的研發(fā)，芯片技術(shù)對我們來說同樣困難。