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啟方半導(dǎo)體是韓國唯一的純晶圓代工公司(Key Foundry)今天宣布將用于低功耗PMIC的0.18微米30V非外延BCD工藝。

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BCD雙極晶體管是一種(Bipolar)、補(bǔ)充金屬氧化物半導(dǎo)體(CMOS)雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體用于高壓處理(DMOS)集成在同一芯片上的工藝技術(shù)。它廣泛應(yīng)用于制造功率半導(dǎo)體。與普通半導(dǎo)體相比，功率半導(dǎo)體需要更高的額定電壓和更高的可靠性。隨著功率半導(dǎo)體應(yīng)用的擴(kuò)大BCD需求也在增加。

與啟方半導(dǎo)體現(xiàn)有帶EPI外延層的BCD與這個(gè)新的0.18微米相比，這個(gè)新的30微米V非EPI BCD盡管去掉了工藝EPI但外延層仍保持相同的性能。與普通半導(dǎo)體相比，這種新工藝非常適合需要更高的電壓和更高的可靠性 以及更高效的功率半導(dǎo)體應(yīng)用�？蓱�(yīng)用于智能手機(jī)、智能手表等低功耗電源管理 DC-DC 生產(chǎn)充電芯片。

與導(dǎo)電阻相比，這種新工藝比導(dǎo)電阻更好(Rsp)0.18微米性能EPI BCD與保持不變的過程相比。啟方半導(dǎo)體可提供5V至30V各種功率器件之間的選擇。因?yàn)椴恍枰�這個(gè)過程EPI因此，工藝效率提高了5V提供5個(gè)電源模塊V LDMOS實(shí)現(xiàn)高效設(shè)計(jì)的晶體管。特別值得一提的是，這種新的非EPI BCD工藝邏輯器件與現(xiàn)有工藝保持一致EPI BCD工藝邏輯器件與其數(shù)據(jù)庫非常接近電性能（libraries） & IP與目前大規(guī)模量產(chǎn)工藝兼容。為了提高用戶的便利性，新工藝也提供了MTP和OTP(一次性編程)IP，不需要任何額外的工藝步驟。得益于Invensense代理這些優(yōu)點(diǎn)適用于需要存儲功能的功率半導(dǎo)體或其他類型的應(yīng)用，如移動直流-直流IC和充電器IC。

啟方半導(dǎo)體自工藝開發(fā)初期以來，與無晶圓廠電力半導(dǎo)體設(shè)計(jì)客戶密切溝通，以反映市場對工藝結(jié)構(gòu)的需求。啟方半導(dǎo)體于使用的地圖選項(xiàng)和設(shè)計(jì)工具包，啟方半導(dǎo)體增強(qiáng)了用戶的便利性。特別是與現(xiàn)有產(chǎn)品相比，客戶可以簡化流程，提高產(chǎn)品性能。同時(shí)，這一新工藝符合汽車電子國際可靠性標(biāo)準(zhǔn)AEC Q100的Grade-1.要求不僅適用于移動設(shè)備，也適用于電機(jī)驅(qū)動等汽車動力半導(dǎo)體IC和直流-直流IC等。

李泰鐘，啟方半導(dǎo)體首席執(zhí)行官(Tae Jong Lee)博士表示："隨著功率半導(dǎo)體市場的快速增長，它對高度可靠和簡化BCD對工藝的需求正在增加。我們將繼續(xù)改進(jìn)工藝技術(shù)，提供最優(yōu)化BCD滿足功率半導(dǎo)體設(shè)計(jì)公司的需求。"