產(chǎn)品參考圖片
- 制造廠商：東芝半導(dǎo)體
- 類別封裝：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列，封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）
- 技術(shù)參數(shù)：MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
- 豐富的東芝半導(dǎo)體公司產(chǎn)品，東芝半導(dǎo)體芯片采購平臺
- 提供當(dāng)日發(fā)貨、嚴(yán)格的質(zhì)量標(biāo)準(zhǔn)，滿足您的目標(biāo)價(jià)格
點(diǎn)擊下圖下載技術(shù)文檔
TPC8213-H(TE12LQ,M 技術(shù)參數(shù)詳情：
- 制造商產(chǎn)品型號：TPC8213-H(TE12LQ,M
- 制造商：東芝半導(dǎo)體（Toshiba Semiconductor）
- 描述：MOSFET 2N-CH 60V 5A SOP8
- 系列：晶體管 - FET，MOSFET - 陣列
- 產(chǎn)品系列：-
- 零件狀態(tài)：停產(chǎn)
- FET類型：2 N-通道（雙）
- FET功能：邏輯電平門
- 漏源電壓（Vdss）：60V
- 25°C時(shí)電流-連續(xù)漏極(Id)：5A
- 不同Id、Vgs時(shí)導(dǎo)通電阻（最大值）：50 毫歐 @ 2.5A，10V
- 不同Id時(shí)Vgs(th)（最大值）：2.3V @ 1mA
- 不同Vgs時(shí)柵極電荷?(Qg)（最大值）：11nC @ 10V
- 不同Vds時(shí)輸入電容(Ciss)（最大值）：625pF @ 10V
- 功率-最大值：450mW
- 工作溫度：150°C（TJ）
- 安裝類型：表面貼裝型
- 封裝：8-SOIC（0.173，4.40mm 寬）
- TPC8213-H(TE12LQ,M優(yōu)勢代理貨源，國內(nèi)領(lǐng)先的東芝半導(dǎo)體芯片采購服務(wù)平臺。
芯片采購網(wǎng)專注整合國內(nèi)外授權(quán)Toshiba代理的現(xiàn)貨資源，輕松采購IC芯片，是國內(nèi)專業(yè)的芯片采購平臺