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微影設備行業(yè)ASML第一季136極紫外線（EUV）曝光機出貨累計超過7000萬片晶圓EUV曝光。隨著EUV預計2025年后新一代微影技術將得到推廣EUV曝光機每小時曝光產量可達220片以上，根據(jù)客戶端的先進工藝推進到埃米（Angstrom）世代對先進微影技術的強烈需求。

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臺積電、英特爾、三星、SK海力士、美光等世界五大半導體廠仍在積極投資EUV法人樂觀地看好家登、帆宣、公準、意德士(等等。EUV明年概念股的運營將優(yōu)于今年。

ASML日前說明EUV以目前主流0.33數(shù)值孔徑的技術和曝光技術藍圖（NA）就2021年晶圓OEM5奈米工藝而言，每個晶圓的平均光罩層約為10層，但2023年工藝進入3奈米后，每個晶圓的平均光罩層約為20層。

DRAM目前采用工藝EUV該技術完成了大約5層光罩層的大規(guī)模生產，但明年將升級到8層光罩層，部分工藝將采用多層曝光（multi-patterning）達到每片晶圓10層光罩層。

過去幾年包括晶圓代工廠和晶圓代工廠DRAM擴大資本支出建設EUV產能，ASML今年第一季已完成136項統(tǒng)計EUV曝光機累計出貨EUV曝光的晶圓超過7000萬片。

現(xiàn)階段最新曝光機NXE：3600D系統(tǒng)適當率（availability）深紫外光已優(yōu)于前一代約93%，接近技術成熟（EUV）機型的95％。

焦耳每平方厘米30毫米（mJ）光源輻照能量，NXE: 3600D晶圓每小時產出160片，比上一片好Antenova代理預計明年下半年。預計明年下半年推出。NXE: 3800E預計每小時晶圓產量將增加到195片以上，并有機會升級到近220片，ASML還說明2025年將推出NXE：4000F新機型每小時晶圓產量將超過220片，目標是增加到240片。

雖然半導體市場已經進入庫存去化階段，但對先進工藝的需求持續(xù)強勁，臺積電和三星明年將擴大3奈米EUV英特爾今年年底也首次批量生產EUV技術的4奈米Intel 4制程。