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自12代酷睿誕生以來，除了CPU最受關(guān)注的是先進(jìn)協(xié)議中的革命。一是全面支持PCIe5.0協(xié)議為下一代顯卡和存儲(chǔ)器提供了普及接口；二是全面引入新一代DDR5內(nèi)存協(xié)議打破了多年內(nèi)存產(chǎn)品性能和體驗(yàn)的停滯，引發(fā)了新一輪內(nèi)存浪潮。

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關(guān)于前者，鑒于沒有消費(fèi)水平PCIe5.這里省略了0相關(guān)產(chǎn)品。今天，我們將重點(diǎn)介紹被稱為內(nèi)存行業(yè)革命的產(chǎn)品DDR5內(nèi)存。

關(guān)于DDR5內(nèi)存，大多數(shù)用戶的直觀感受是頻率的提高，即由DDR4內(nèi)存2133MHz起步頻率倍增至4800MHz，甚至根據(jù)最新消息DDR后續(xù)內(nèi)存的頻率甚至達(dá)到60000MHz以上水準(zhǔn)。就數(shù)值觀感而言，DDR除了數(shù)值刺激，5確實(shí)是內(nèi)存技術(shù)的大飛躍革命，從技術(shù)角度來看，DDR5內(nèi)存主要有以下五個(gè)技術(shù)升級(jí)，其中最后一個(gè)出乎意料。

01等效頻率成倍增加-跑得更快

DDR5最耀眼的技術(shù)升級(jí)是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從2133開始MHz跨越式增長為48000MHz即使是現(xiàn)在DDR5.內(nèi)存調(diào)參深入，6400MHz或?qū)⒊蔀橹髁魉�平�?/p>

提高頻率，使DDR5內(nèi)存在理論跑分上有了質(zhì)的飛躍，無論是讀取測(cè)試、寫入測(cè)試、復(fù)制、延遲，從跑分結(jié)果來看，DDR5無疑是超前，提升更是巨大。

DDR5內(nèi)存跑分

DDR4內(nèi)存跑分

對(duì)許多用戶來說，這也是如此DDR5內(nèi)存的第一印象也是最可接受的技術(shù)創(chuàng)新，即頻率提升帶來的跑分提升，使計(jì)算機(jī)理論上跑得更快。

02DRAM容量增加-容量更大

內(nèi)存的DRAM容量也是這次DDR5內(nèi)存技術(shù)改進(jìn)的關(guān)鍵方向是JEDEC的DDR在規(guī)范中，單個(gè)內(nèi)存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時(shí)代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

換句話說，DDR4時(shí)代單條32GB可能是消費(fèi)級(jí)內(nèi)存的容量天花板，可以進(jìn)入DDR5時(shí)代，標(biāo)準(zhǔn)規(guī)范的提高、工藝流程和內(nèi)部設(shè)計(jì)的冗余，使單個(gè)32GB已經(jīng)成為行業(yè)的主流標(biāo)準(zhǔn)，甚至是后續(xù)的64個(gè)單項(xiàng)GB，乃至于單條128GB，都將成為可能。

當(dāng)然，上述容量規(guī)格的誕生也需要DDR進(jìn)一步的進(jìn)一步升級(jí)和優(yōu)化，以及消費(fèi)者用戶的接受，是一個(gè)漫長的創(chuàng)新過程；但標(biāo)準(zhǔn)協(xié)議的誕生是內(nèi)存容量擴(kuò)展的積極信號(hào)。

03工作電壓低-功耗低，超頻強(qiáng)

如果說容量和性能的倍增是最顯著的技術(shù)升級(jí)，那么下一步的內(nèi)部技術(shù)升級(jí)和糾正就是在更深層次的迭代優(yōu)化。

降低工作電壓是重要環(huán)節(jié)。

DDR內(nèi)存工作電壓低至15.1V，對(duì)比DDR4最低1.2V工作電壓降低了20%左右，其降低有兩個(gè)重要意義。

一是功耗，特別是筆記本產(chǎn)品和企業(yè)級(jí)服務(wù)器產(chǎn)品，功耗降低20%，具有顯著的節(jié)能意義；二是超頻潛力和初始電壓的降低，為后續(xù)超頻調(diào)節(jié)提供了更大的可操作空間，可以進(jìn)一步提高內(nèi)存的超頻潛力。

04On-die ECC下放-糾錯(cuò)能力更強(qiáng)，操作更穩(wěn)定

事實(shí)上，隨著晶圓光刻技術(shù)的不斷改進(jìn)，DRAM芯片密度的不斷提高，增加了數(shù)據(jù)泄露、數(shù)據(jù)校正和數(shù)據(jù)錯(cuò)誤的可能性。特別是在企業(yè)應(yīng)用場景中，為了避免頻繁發(fā)生數(shù)據(jù)錯(cuò)誤，行業(yè)引入ECC為了規(guī)避風(fēng)險(xiǎn)，提高可靠性，降低缺陷率，糾錯(cuò)機(jī)制。

而全新DDR5內(nèi)存，為了進(jìn)一步穩(wěn)定數(shù)據(jù)EverSpin代理類似企業(yè)級(jí)應(yīng)用場景的傳輸和校正迎來了On-die ECC糾錯(cuò)機(jī)制可以動(dòng)態(tài)糾正數(shù)據(jù)單位或數(shù)據(jù)編碼錯(cuò)誤，為用戶日常應(yīng)用的穩(wěn)定性提供技術(shù)保障。這不僅是企業(yè)技術(shù)委托給消費(fèi)場景的大膽嘗試，也是企業(yè)技術(shù)委托給消費(fèi)場景的大膽嘗試DDR升級(jí)內(nèi)存創(chuàng)新的重要產(chǎn)品。

05雙32尋址通道 單通道變雙通道延遲更低，效率倍增

最后一個(gè)重要的技術(shù)升級(jí)是引入雙32位尋址通道，其基本原理是DDR5內(nèi)存模塊中的64位數(shù)據(jù)帶寬分為兩個(gè)帶寬中的32位，有效提高了內(nèi)存控制器和數(shù)據(jù)訪問的效率，減少了延遲。

所以我們可以看到，單條DDR5內(nèi)存插入電腦后，一些專業(yè)軟件甚至直接識(shí)別為雙通道內(nèi)存，因?yàn)镈DR5內(nèi)存模塊激進(jìn)地將64位單通道轉(zhuǎn)化為32位獨(dú)立雙通道的技術(shù)創(chuàng)新；當(dāng)然，這種雙通道設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)意義上的雙通道相當(dāng)不同，無法與傳統(tǒng)意義上的兩個(gè)內(nèi)存形成的雙通道進(jìn)行比較，根據(jù)應(yīng)用場景的性能差異，其改進(jìn)效果也有所不同。

但總的來說，引入雙32位尋址通道，對(duì)于降低尋址性能和延遲，有顯著的提升作用，DDR從某種意義上說，整體性能的躍升與該技術(shù)密不可分。

06DDR新技術(shù)帶來的思考

DDR自去年以來，內(nèi)存一直處于風(fēng)口浪尖。新技術(shù)的到來將不可避免地導(dǎo)致舊產(chǎn)品的脫節(jié)。新舊產(chǎn)品和新舊技術(shù)的更換是科技行業(yè)不可避免的事件。

對(duì)于從業(yè)者來說，快速理解和接受新技術(shù)和新技術(shù)是繼續(xù)的基礎(chǔ)；對(duì)于消費(fèi)者來說，新技術(shù)不能喜歡或不樂觀，但不能接受，你我的深技術(shù)躍進(jìn)時(shí)代，不能阻止或隱藏，你說什么？