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DDR五大內存升級有哪些？你永遠不會想到最后一個

（2025年4月30日更新）

自12代酷睿誕生以來，除了CPU最受關注的是先進協議中的革命。一是全面支持PCIe5.0協議為下一代顯卡和存儲器提供了普及接口；二是全面引入新一代DDR5內存協議打破了多年內存產品性能和體驗的停滯，引發了新一輪內存浪潮。

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關于前者，鑒于沒有消費水平PCIe5.這里省略了0相關產品。今天，我們將重點介紹被稱為內存行業革命的產品DDR5內存。

關于DDR5內存，大多數用戶的直觀感受是頻率的提高，即由DDR4內存2133MHz起步頻率倍增至4800MHz，甚至根據最新消息DDR后續內存的頻率甚至達到60000MHz以上水準。就數值觀感而言，DDR除了數值刺激，5確實是內存技術的大飛躍革命，從技術角度來看，DDR5內存主要有以下五個技術升級，其中最后一個出乎意料。

01等效頻率成倍增加-跑得更快

DDR5最耀眼的技術升級是大家最能感受到的等效頻率的提升，直接從2133開始MHz跨越式增長為48000MHz即使是現在DDR5.內存調參深入，6400MHz或將成為主流水平。

提高頻率，使DDR5內存在理論跑分上有了質的飛躍，無論是讀取測試、寫入測試、復制、延遲，從跑分結果來看，DDR5無疑是超前，提升更是巨大。

DDR5內存跑分

DDR4內存跑分

對許多用戶來說，這也是如此DDR5內存的第一印象也是最可接受的技術創新，即頻率提升帶來的跑分提升，使計算機理論上跑得更快。

02DRAM容量增加-容量更大

內存的DRAM容量也是這次DDR5內存技術改進的關鍵方向是JEDEC的DDR在規范中，單個內存Die最大容量只有16Gb，而到了DDR5時代，單顆Die的容量上到64Gb的高度。

換句話說，DDR4時代單條32GB可能是消費級內存的容量天花板，可以進入DDR5時代，標準規范的提高、工藝流程和內部設計的冗余，使單個32GB已經成為行業的主流標準，甚至是后續的64個單項GB，乃至于單條128GB，都將成為可能。

當然，上述容量規格的誕生也需要DDR進一步的進一步升級和優化，以及消費者用戶的接受，是一個漫長的創新過程；但標準協議的誕生是內存容量擴展的積極信號。

03工作電壓低-功耗低，超頻強

如果說容量和性能的倍增是最顯著的技術升級，那么下一步的內部技術升級和糾正就是在更深層次的迭代優化。

降低工作電壓是重要環節。

DDR內存工作電壓低至15.1V，對比DDR4最低1.2V工作電壓降低了20%左右，其降低有兩個重要意義。

一是功耗，特別是筆記本產品和企業級服務器產品，功耗降低20%，具有顯著的節能意義；二是超頻潛力和初始電壓的降低，為后續超頻調節提供了更大的可操作空間，可以進一步提高內存的超頻潛力。

04On-die ECC下放-糾錯能力更強，操作更穩定

事實上，隨著晶圓光刻技術的不斷改進，DRAM芯片密度的不斷提高，增加了數據泄露、數據校正和數據錯誤的可能性。特別是在企業應用場景中，為了避免頻繁發生數據錯誤，行業引入ECC為了規避風險，提高可靠性，降低缺陷率，糾錯機制。

而全新DDR5內存，為了進一步穩定數據EverSpin代理類似企業級應用場景的傳輸和校正迎來了On-die ECC糾錯機制可以動態糾正數據單位或數據編碼錯誤，為用戶日常應用的穩定性提供技術保障。這不僅是企業技術委托給消費場景的大膽嘗試，也是企業技術委托給消費場景的大膽嘗試DDR升級內存創新的重要產品。

05雙32尋址通道單通道變雙通道延遲更低，效率倍增

最后一個重要的技術升級是引入雙32位尋址通道，其基本原理是DDR5內存模塊中的64位數據帶寬分為兩個帶寬中的32位，有效提高了內存控制器和數據訪問的效率，減少了延遲。

所以我們可以看到，單條DDR5內存插入電腦后，一些專業軟件甚至直接識別為雙通道內存，因為DDR5內存模塊激進地將64位單通道轉化為32位獨立雙通道的技術創新；當然，這種雙通道設計與傳統意義上的雙通道相當不同，無法與傳統意義上的兩個內存形成的雙通道進行比較，根據應用場景的性能差異，其改進效果也有所不同。

但總的來說，引入雙32位尋址通道，對于降低尋址性能和延遲，有顯著的提升作用，DDR從某種意義上說，整體性能的躍升與該技術密不可分。