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三星在與臺積電競爭的道路上，可謂頻繁出招。除了3納米引入新的GAAFET根據(jù)三星半導(dǎo)體藍(lán)圖分析，2025年大規(guī)模量產(chǎn)2納米，更先進(jìn)的1.4納米預(yù)定2027年量產(chǎn)。

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韓國媒體The Elec三星計劃使用背面供電網(wǎng)絡(luò)(BSPDN)2納米芯片采用技術(shù)。研究員Park Byung-jae三星技術(shù)論壇近日舉行SEDEX 2022介紹BSPDN細(xì)節(jié)。從過去的高K金屬柵極技術(shù)到FinFET，接著邁向MBCFET，再到BSPDN，F(xiàn)inFET它仍然是半導(dǎo)體過程中最主流的技術(shù)，以前被稱為3D電晶是10納米等級制造的關(guān)鍵，三星已經(jīng)轉(zhuǎn)向發(fā)展下一代GAAFET。

未來，三星將采用小芯片設(shè)計架構(gòu)，不再采用同節(jié)點工藝技術(shù)，可連接不同的OEM、不同的節(jié)點工藝，也稱為3D-SOC。BSPDN它可以解釋為小芯片設(shè)計的演變。原本將邏輯電路與存儲器模塊集成的現(xiàn)有方案改為具有邏輯操作功能的正面、背面電源或信號傳輸。

值得一提的是，BSPDN這不是2019年第一次出現(xiàn)這個概念。IMEC研討會已經(jīng)出現(xiàn)到2021年IEDM再次引用論文。2納米工藝應(yīng)用BSPDN后端集成設(shè)計和邏輯最佳化可以解決FSPDN性能提高44%，功率效率提高30%。